IPL60R185C7
アクティブ
RoHS対応

IPL60R185C7

CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET offers best-in-class performance in PFC and LLC topologies
データシート
パッケージ

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IPL60R185C7
IPL60R185C7
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    13 A
  • ID (最大)
    13 A
  • IDpuls (最大)
    45 A
  • Ptot (最大)
    77 W
  • QG
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    24 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    185 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    185 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.61 K/W
  • Rth
    1.61 K/W
  • Special Features
    Highest performance
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 8x8
  • ピン数
    5 Pins
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPL60R185C7AUMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2a
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY,TH
ウェハ製造国
AT,DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2a
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY,TH
ウェハ製造国
AT,DE
Infineon’s 600 V and 650 V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET families are designed to achieve record-level efficiency performance, with reduced losses over the whole load range in hard-switching applications.

特長

  • Reduced switching losses
  • Excellent figure of merit Q G*R DS(on)
  • Increased switching frequency
  • Best R (on)*A in the market
  • Rugged body diode

利点

  • Higher frequency with no efficiency loss
  • Key Efficiency Measure for All Loads
  • 50% smaller magnetic components
  • Smaller packages for same RDS(on)
  • Versatile for Hard and Soft Switching
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ