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RoHS準拠

IPG20N06S2L-35

55 V, Dual N-Ch, 35 mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™
EA.
在庫あり

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IPG20N06S2L-35
IPG20N06S2L-35
EA.

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • IDpuls max
    80 A
  • Ptot max
    65 W
  • QG (typ @10V) max
    23 nC
  • QG (typ @10V)
    18 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    35 mΩ
  • RthJC max
    2.3 K/W
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    dual SS08 (PG-TDSON-8)
  • Budgetary Price €/1k
    0.43
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™
  • Polarity
    N+N
  • Launch year
    2009
  • Qualification
    Automotive
OPN
IPG20N06S2L35ATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

機能

  • Dual N-Channel - Enhancement mode
  • Logic Level
  • 150 °C operating temperature
  • Avalanche rated
  • dv/dt rated
  • Green product (RoHS compliant)
  • AEC Qualified
  • PPAP Capable Device

利点

  • Dual SSO8 for PCB Space and Cost Savings
  • Bond wire is 200um for up to 20A current
  • Larger source lead for wire bonding
  • Equal performance to DPAK, same die size
  • Exposed pad for thermal transfer
  • 2 N-Channel MOSFETs; Isolated Leadframes

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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