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IPG20N04S4L-18A

40 V, Dual N-Ch, 18 mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™-T2
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    China, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG (typ @10V)
    10.5 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    15 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    26 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    18 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2019
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPG20N04S4L18AATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり

特長

  • OptiMOS™-T2 Power Transistor
  • Dual N-Channel - Enhancement mode
  • Logic Level-Enhancement mode
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • Feasible for automatic optical inspection (AOI)
  • PPAP Capable Device

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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