IPF014N10NM8
Active and preferred
RoHS対応

IPF014N10NM8

OptiMOS™ 8パワーMOSFET 100 Vノーマルレベル、 D2PAK-7パッケージ
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPF014N10NM8
IPF014N10NM8
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    321 A
  • IDpuls (最大)
    1284 A
  • Ptot (最大)
    357 W
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.48 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.4 V～3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPF014N10NM8ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 -
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • 非常に低いオン抵抗RDS(on)
  • 高いID電流定格
  • ばらつきの少ないVGS(th)
  • 穏やかなボディ ダイオード回復と低Qrr
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 鉛フリーの端子メッキ、RoHS指令に準拠
  • IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
  • J-STD-020の吸湿耐性水準 (MSL) 1適合
  • Nチャネル、ノーマルレベル

利点

  • 価格性能比に優れた技術
  • 最小レベルの伝導損失
  • 優れた電流共有
  • 優れたスイッチング性能を持つソフトボディダイオード
  • 使いやすさ
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ