IPDQ65R080CFD7
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IPDQ65R080CFD7

The 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPDQ65R080CFD7
IPDQ65R080CFD7
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    36 A
  • ID (@25°C) (最大)
    36 A
  • IDpuls (最大)
    107 A
  • Ptot (最大)
    223 W
  • QG (typ @10V)
    50 nC
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    80 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    80 mΩ
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    2.46
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPDQ65R080CFD7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET IPDQ65R080CFD7 in a QDPAK package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition.  As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50 V breakdown voltage.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Enables perfect electrical loops

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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