アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IPDQ60R075CFD7

Infineon’s answer to resonant high power topologies
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPDQ60R075CFD7
IPDQ60R075CFD7
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    34 A
  • IDpuls max
    97 A
  • Ptot max
    219 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • QG
    51 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    61 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    2.32
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPDQ60R075CFD7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

機能

  • Ultra-fast body diode
  • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
  • Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
  • Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
  • Best-in-class RDS(on)/package combinations

利点

  • Best-in-class hard commutation ruggedness
  • Highest reliability for resonant topologies
  • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
  • Enabling increased power density solutions

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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