新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPDQ60R055CM8

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600 V CoolMOS™ 8 power transistor
データシート
パッケージ

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IPDQ60R055CM8
IPDQ60R055CM8
データシート

Product details

  • ID (@ TC=25°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • IDpuls (@25°C) max
    148 A
  • Ptot (@25°C) max
    236 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    45.83315 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度 (Tj)
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPDQ60R055CM8XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS™ 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7. It comes with reduced gate charge (Qg) of 20% over CFD7, reduction in turn-off losses (Eoss) is further improved by 12% over CFD7, reverse recovery charge (Qrr) is 3% lower compared to the CFD7, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

機能

  • Significant reduction of losses
  • Excellent commutation ruggedness
  • Integrated fast body diode
  • .XT interconnection
  • ESD protection
  • Top-side cooling QDPAK package
  • 12000 cycle TCoB

利点

  • Increased power density
  • Ease of use and fast design-in
  • Low ringing tendency
  • Simplified thermal management
  • Simplified portfolio
  • SMT compatible
  • Reduced assembly cost
  • Reduced stray inductance
  • Space reduction

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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