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RoHS準拠
鉛フリー

IPDQ60R035CFD7

Infineon’s answer to resonant high power topologies
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPDQ60R035CFD7
IPDQ60R035CFD7
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    68 A
  • IDpuls max
    212 A
  • Ptot max
    367 W
  • QG
    108 nC
  • QG (typ @10V)
    108 nC
  • RDS (on) max
    35 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    35 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPDQ60R035CFD7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Enables perfect electrical loops

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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