IPDD60R037CM8
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IPDD60R037CM8

IPDD60R037CM8 - 600 V CoolMOS™ 8 power transistor
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPDD60R037CM8
IPDD60R037CM8
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    65 A
  • IDpuls (最大)
    230 A
  • QG
    79 nC
  • QG (typ @10V)
    79 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    37 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    37 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.7 V～4.7 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • パッケージ
    D-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    3.15
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
推奨
OPN
IPDD60R037CM8XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-10
パッケージ名 D-DPAK
梱包サイズ 1700
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-10
パッケージ名 D-DPAK
梱包サイズ 1700
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS™ 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.It comes with reduced gate charge (Qg) of 20% over CFD7, reduction in turn-off losses (Eoss) is further improved by 12% over CFD7, reverse recovery charge (Qrr) is 3% lower compared to the CFD7, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

特長

  • Best-in-class RDS(on)*A
  • Significant reduction of losses
  • Excellent commutation ruggedness
  • Integrated fast body diode
  • .XT interconnection
  • ESD protection
  • Top-side cooling D-DPAK package

利点

  • Increased power density
  • Ease of use and fast design-in
  • Low ringing tendency
  • Simplified thermal management
  • Simplified portfolio
  • SMT compatible
  • Reduced assembly cost
  • Reduced stray inductance
  • Space reduction

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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