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IPD80R2K7C3A

800V, N-Ch, 2700 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, CoolMOS™ C3A
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPD80R2K7C3A
IPD80R2K7C3A
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    2 A
  • IDpuls max
    6 A
  • Ptot max
    42 W
  • QG
    12 nC
  • QG (typ @10V) max
    12 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2400 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    3 K/W
  • VDS max
    800 V
  • VGS(th) min
    2.1 V
  • VGS(th) max
    3.9 V
  • トポロジー
    Flyback
  • パッケージ
    DPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.48
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolMOS™ C3A
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPD80R2K7C3AATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

機能

  • CoolMOS™ 3 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • improved FOM Ron*A
  • automotive qualification
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • higher power density
  • higher efficiency
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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