新規設計は非推奨
RoHS準拠

IPD80N04S3-06

40 V, N-Ch, 5.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T
データシート
パッケージ

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IPD80N04S3-06
IPD80N04S3-06
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2029
  • ID (@25°C) max
    90 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    100 W
  • QG (typ @10V)
    36 nC
  • QG (typ @10V) max
    47 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.2 mΩ
  • RthJC max
    1.5 K/W
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th) max
    4 V
  • VGS(th) min
    2.1 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.69
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-T
  • 極性
    N
  • 発売年
    2007
  • 認定
    Automotive
OPN
IPD80N04S306ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • N-channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable

利点

  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimal total gate charge
  • Smaller driver output stages

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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