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IPD65R660CFDA

650V, N-Ch, 660 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, CoolMOS™ CFDA
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IPD65R660CFDA
IPD65R660CFDA
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    6 A
  • IDpuls (最大)
    17 A
  • Ptot (最大)
    62.5 W
  • QG
    20 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    20 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    660 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    594 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    2 K/W
  • Rth
    2 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) (最大)
    4.5 V
  • VGS(th) (最小)
    3.5 V
  • パッケージ
    DPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.56
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolMOS™ CFDA
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPD65R660CFDAATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.

特長

  • CoolMOS™ 3 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • automotive qualification
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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