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IPC302NE7N3
IPC302NE7N3

製品仕様情報

  • EAS/Avalanche Energy
    40 mJ
  • RDS (on)
    1.2 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    100 mΩ
  • VBRDSS (最大)
    75 V
  • VDS
    75 V
  • VDS (最大)
    75 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.3 V ~ 3.8 V
  • ダイサイズ (-) (範囲)
    4.5 mm² ~ 6.7 mm²
  • ダイサイズ (Y)
    4.5 mm
  • ダイサイズ (Area)
    30.15 mm²
  • ダイサイズ (X)
    6.7 mm
  • モード
    Enhancement
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    175
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon’s OptiMOS™ 75V power MOSFET family is optimized for synchronous rectification in AC-DC switched mode power supplies (SMPS) such as those used in desktop computers and servers. OptiMOS™ 75V devices feature industry leading on-state resistance (R DS(on)) and figure of merit (FOM) characteristics, reducing power losses and improving overall efficiency under all load conditions in SMPS DC-DC converters, solar micro inverters as well as motor control and fast switching Class D audio amplifiers.

特長

  • „Optimized technology for
  • Synchronous rectification
  • „Industry’s lowest R DS(on)
  • „World’s lowest FOM
  • „Very low Q g and Q gd

利点

  • „„Highest system efficiency
  • „Less paralleling required
  • „Increased power density
  • „System cost reduction
  • „Very low voltage overshoot

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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