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IPC302N20NFD

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代替品

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IPC302N20NFD
IPC302N20NFD
代替品
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Product details

  • EAS/Avalanche Energy
    45 mJ
  • RDS (on)
    9.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ
  • VBRDSS max
    200 V
  • VDS
    200 V
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • ダイサイズ (Y)
    4.5 mm
  • ダイサイズ (Area)
    30.15 mm²
  • ダイサイズ (X)
    6.7 mm
  • モード
    Enhancement
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    250
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N
OPN
IPC302N20NFDX1SA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
OptiMOS™ Fast Diode (FD) 200 V and 250 V, offering best-in-class on-state resistance (RDS(on)) power MOSFETs with unique performance. The leading RDS(on) and figure of merit (FOM) characteristics reduce power losses, improve overall efficiency and increase power density. The 200V and 250V product families are optimized for applications such as lighting for 110 V AC networks, HID lamps, DC-DC converters and PoE.

機能

  • Industry’s lowest RDS(on)
  • „Lowest Qg and Qgd
  • „World’s lowest FOM
  • Fast switching diode

利点

  • Highest efficiency
  • „Highest power density
  • „Lowest board space consumption
  • „Less paralleling required
  • „System cost improvement
  • „Easy-to-design products
  • „Environmentally friendly

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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