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IPC302N20NFD
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IPC302N20NFD

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IPC302N20NFD
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製品仕様情報

  • EAS/Avalanche Energy
    45 mJ
  • RDS (on)
    9.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    100 mΩ
  • VBRDSS (最大)
    200 V
  • VDS
    200 V
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • ダイサイズ (Y)
    4.5 mm
  • ダイサイズ (Area)
    30.15 mm²
  • ダイサイズ (X)
    6.7 mm
  • モード
    Enhancement
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    250
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N

OPN
IPC302N20NFDX1SA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 Die Form
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 Die Form
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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OptiMOS™ Fast Diode (FD) 200 V and 250 V, offering best-in-class on-state resistance (RDS(on)) power MOSFETs with unique performance. The leading RDS(on) and figure of merit (FOM) characteristics reduce power losses, improve overall efficiency and increase power density. The 200V and 250V product families are optimized for applications such as lighting for 110 V AC networks, HID lamps, DC-DC converters and PoE.

特長

  • Industry’s lowest RDS(on)
  • „Lowest Qg and Qgd
  • „World’s lowest FOM
  • Fast switching diode

利点

  • Highest efficiency
  • „Highest power density
  • „Lowest board space consumption
  • „Less paralleling required
  • „System cost improvement
  • „Easy-to-design products
  • „Environmentally friendly

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ