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IPC302N20N3

データシート

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IPC302N20N3
IPC302N20N3
データシート

Product details

  • EAS/Avalanche Energy
    47 mJ
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ
  • RDS (on)
    9.2 mΩ
  • VBRDSS max
    200 V
  • VDS
    200 V
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • ダイサイズ (Y)
    4.5 mm
  • ダイサイズ (Area)
    30.15 mm²
  • ダイサイズ (X)
    6.7 mm
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    3.18
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    250
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPC302N20N3X1SA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
With OptiMOS™ 200V and 250V Infineon continues to deliver best-in-class on-state resistance (R DS(on)) power MOSFETs with unique performance. The leading R DS(on) and figure of merit (FOM) characteristics reduce power losses, improve overall efficiency and increase power density. The 200V and 250V product families are optimized for applications such as lighting for 110V AC networks, HID lamps, DC-DC converters and power over ethernet (PoE).

機能

  • Industry’s lowest R DS(on)
  • Lowest Qg and Qgd
  • World’s lowest FOM

利点

  • Highest efficiency
  • Highest power density
  • Lowest board space consumption
  • Less paralleling required
  • System cost improvement
  • Easy-to-design products
  • Environmentally friendly

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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