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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

IPB80N04S3-04

生産終了
40 V, N-Ch, 3.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T

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製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • IDpuls (最大)
    320 A
  • Ptot (最大)
    136 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    80 nC
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.1 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS(th) (最小)
    2.1 V
  • VGS(th) (最大)
    4 V
  • パッケージ
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 予算価格€/ 1k
    1.06
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ~ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
IPB80N04S304ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

特長

  • N-Channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green package (lead free)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimized total gate charge
  • Smaller driver output stages

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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