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IPB70N12S3-11
生産終了
生産終了
RoHS対応

IPB70N12S3-11

生産終了
120 V, N-Ch, 11.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T
データシート
パッケージ

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IPB70N12S3-11
IPB70N12S3-11
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • ID (@25°C) (最大)
    70 A
  • IDpuls (最大)
    280 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    65 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    11.3 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.2 K/W
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) (最小)
    2 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS(th) (最大)
    4 V
  • パッケージ
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.83
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
IPB70N12S311ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • OptiMOS™ power MOSFET for automotive
  • N-channel-Enhancement mode
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ