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IPB65R190CFDA

650V, N-Ch, 190 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, CoolMOS™ CFDA
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB65R190CFDA
IPB65R190CFDA
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    17.5 A
  • IDpuls max
    57.2 A
  • Ptot max
    151 W
  • QG
    68 nC
  • QG (typ @10V) max
    68 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    171 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.83 K/W
  • Rth
    0.83 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th) min
    3.5 V
  • VGS(th) max
    4.5 V
  • トポロジー
    Full Bridge
  • パッケージ
    D2PAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.43
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolMOS™ CFDA
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPB65R190CFDAATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.

機能

  • CoolMOS™ 3 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • automotive qualification
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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