新規設計は非推奨
RoHS準拠

IPB60R055CFD7

600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET with integrated fast body diode in D2PAK package is the perfect choice for resonant high power topologies
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB60R055CFD7
IPB60R055CFD7
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    38 A
  • ID (@25°C) max
    38 A
  • IDpuls max
    153 A
  • Ptot max
    178 W
  • QG
    79 nC
  • QG (typ @10V)
    79 nC
  • RDS (on) max
    55 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    55 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.65
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
IPB60R055CFD7ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R055CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS , such as server , telecom and EV charging stations , where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • Enabling increased power density

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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