Active and preferred
RoHS準拠

IPB180N04S4L-H0

40 V, N-Ch, 1 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2
データシート
パッケージ

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IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2032
  • ID (@25°C) (最大)
    180 A
  • IDpuls (最大)
    720 A
  • Ptot (最大)
    250 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    310 nC
  • QG (typ @10V)
    239 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.6 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    D2PAK (PG-TO263-7)
  • 予算価格€/ 1k
    1.19
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N
  • 発売年
    2013
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPB180N04S4LH0ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK7P
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK7P
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

特長

  • N-channel-Logic Level-Enhancement mode
  • AEC qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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