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RoHS準拠

IPB018N10NM8

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OptiMOS™ 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK
データシート
パッケージ

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IPB018N10NM8
IPB018N10NM8
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    176 A
  • IDpuls max
    704 A
  • Ptot max
    357 W
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.82 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPB018N10NM8ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Very low on-resistance RDS(on)
  • High ID current rating
  • Tight VGS(th) spread
  • Soft body diode recovery and low Qrr>
  • 100% avalanche tested
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Halogen-free according to IEC61249-2-21
  • MSL 1 classified according to J-STD-020
  • N-channel, normal level

利点

  • Best price/performance technology
  • Lowest conduction losses
  • Improved current sharing
  • Excellent switching, soft body diode
  • Ease of use

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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