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IPB011N04NF2S
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IPB011N04NF2S

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StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 40 V in D²PAK package
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IPB011N04NF2S
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    201 A
  • ID (@25°C) (最大)
    201 A
  • IDpuls (最大)
    804 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    210 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.15 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    1.15 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.4 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IPB011N04NF2SATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V features lowest RDS(on) of 1.15 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

特長

  • Broad availability distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Standard through-hole package footprint
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ