IPAN60R125PFD7S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IPAN60R125PFD7S

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in TO-220 FullPAK narrow-lead package
データシート
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在庫あり

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IPAN60R125PFD7S
IPAN60R125PFD7S
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    25 A
  • ID (最大)
    25 A
  • IDpuls (最大)
    66 A
  • Ptot (最大)
    32 W
  • QG
    36 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    125 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    125 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220 FullPAK narrow leads
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.95
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPAN60R125PFD7SXKSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK narrow leads
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK narrow leads
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The 600V CoolMOS™ PFD7 high-voltage MOSFET series sets a new benchmark in 600V superjunction (SJ) technologies, shaped by Infineon’s experience of more than 20 years in pioneering in superjunction technology innovation. The series combines best-in-class performance with state-of-the-art ease of use and features an integrated fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced BOM for the customer.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • BOM cost reduction & easy manufacturing
  • Narrow lead
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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