IPA052N08NM5S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IPA052N08NM5S

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V in TO-220 FullPAK package (IPA052N08NM5S)
個.
在庫あり

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IPA052N08NM5S
IPA052N08NM5S
個.

製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    64 A
  • ID (@25°C) (最大)
    64 A
  • IDpuls (最大)
    256 A
  • Ptot (最大)
    38 W
  • QG (typ @10V)
    42 nC, 42 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.2 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V~3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.77
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 極性
    N
OPN
IPA052N08NM5SXKSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
This 80V OptiMOS™ power MOSFET (IPA052N08NM5S) is made to meet the requirements for improved system efficiency while at the same time reducing system cost. Offering low RDS(on) of 5.2mOhm, Infineon’s TO-220 FullPAK package portfolio extension of MOSFETs features increased power density as well as improved efficiency. Serving as an ideal solution for synchronous rectification, OptiMOS™ power MOSFETs in TO-220 FullPAK are optimized for TV power supply, adapter, desktop and gaming applications.

特長

  • Low voltage overshoot
  • Low on-state resistance (RDS(on))
  • Electrically isolated package

利点

  • Less paralleling required
  • No heat to circuit board
  • Less heat generation
  • Fits TO-220 footprint

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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