IMZA75R016M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMZA75R016M2H

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2、TO-247-4パッケージ、16 mΩ
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IMZA75R016M2H
IMZA75R016M2H
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    85 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    20 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    16 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    PG-TO247-4
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMZA75R016M2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
インフィニオンの堅牢な第2世代シリコンカーバイドトレンチ技術に基づいて構築された750 V CoolSiC™ MOSFETは、比類のない性能、優れた信頼性、そして非常に使いやすい設計を実現します。これにより、コスト効率が高く、高効率で、簡素化された設計が可能になり、ますます高まるシステムと市場のニーズに対応できます。

特長

  • 100%アバランシェ耐性試験済み
  • クラス最高のRDS(on) x Q fr
  • 優れたRDS(on) x QossとRDS(on) x QG
  • 独自の低Crss/Cissと高VGS(th
  • .XTによるパッケージ相互接続の改善
  • ドライバソースピン利用可能

利点

  • 高い堅牢性と信頼性
  • ハードスイッチングにおける優れた効率
  • 高スイッチング周波数化
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • クラス最高の放熱性
  • スイッチング損失の低減
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ