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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IMZA65R107M1H

生産終了
CoolSiC™ MOSFET 650 V G1 in TO247-4L
データシート
パッケージ
代替品

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IMZA65R107M1H
IMZA65R107M1H
代替品
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    48 A
  • Ptot (最大)
    75 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    142 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    108 mΩ
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMZA65R107M1HXKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. This 650V CoolSiC™ is built on a state-of-the-art trench MOSFET, optimized to allow no compromises in getting both the lowest switching losses for given on-state resistance in the application and the highest reliability in operation.

ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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