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RoHS準拠
鉛フリー

IMZA120R020M1H

CoolSiC™ 1200 V, 20 mΩ SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMZA120R020M1H
IMZA120R020M1H
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    3460 pF
  • Coss
    159 pF
  • ID (@25°C) max
    98 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    375 W
  • Qgd
    24 nC
  • QG
    83 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    20 mΩ
  • RDS(on) (@ TJ=25°C VGS=11)
    20 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    TO-247-4
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMZA120R020M1HXKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 20 mΩ G1 in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. The SiC MOSFET offers the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.

機能

  • Best in class switching losses
  • Best in class conduction losses
  • Benchmark gate threshold voltage
  • Vth > 4 V
  • 0V turn-off gate voltage applicable
  • Wide gate-source voltage range
  • Robust diode for hard commutation
  • Temp. ind. turnoff switching losses
  • .XT interconnection technology

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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