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RoHS準拠
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IMW120R220M1H

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMW120R220M1H
IMW120R220M1H
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    289 pF
  • Coss
    16 pF
  • ID (@25°C) max
    13 A
  • Ptot (@25°C) max
    75 W
  • Qgd
    2 nC
  • QG (typ @18V)
    8.5 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    220 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • パッケージ
    TO-247-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMW120R220M1HXKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 220 mΩ G1 in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. The SiC MOSFET offers the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.

機能

  • Best in class switching losses
  • Best in class conduction losses
  • Benchmark high threshold voltage
  • Vth > 4 V
  • 0V turn-off gate voltage for easy
  • Simple gate drive
  • Wide gate-source voltage range
  • Robust and low loss body diode
  • Rated for hard commutation
  • Temp. ind. turnoff switching losses

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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