IMSQ120R017M2HB
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMSQ120R017M2HB

新規
CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 and Schottky diode G5 in top side cooled Q-DPAK dual die-pad package
データシート
パッケージ

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IMSQ120R017M2HB
IMSQ120R017M2HB
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製品仕様情報

  • Ciss
    2910 pF
  • Coss
    126 pF
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    789 W
  • Qgd
    19 nC
  • QG
    79 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    17.1 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.26 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    PG-HDSOP-16-U03
  • ピン数
    16 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    CoolSiC™ G2, CoolSiC™ G5
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMSQ120R017M2HBXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,MY

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 -
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,MY
CoolSiC™ 1200 V boost stage combining a 17.1 mOhm CoolSiC™ MOSFET and 50 A Schottky diode in a top-side cooled Q-DPAK package with dual die-pad configuration. Designed for industrial power conversion, it offers simplified assembly, excellent thermal performance, and high power density. The optimized layout enables improved efficiency, superior thermal management, and reduced system cost.

特長

  • VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
  • IDDC = 74 A at TC = 25°C
  • RDS = 17.1 mΩ, VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • IF = 50 A
  • Optimized layout for fast switching
  • Very low switching losses
  • No reverse recovery current
  • High surge-current Schottky diode
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Best-in-class VGS(th): 4.2 V
  • .XT interconnection technology

利点

  • Higher power density
  • Enabling automated assembly
  • Less complex designs needed
  • Outstanding thermal performance vs BSC
  • Improve system power losses
  • Enable a VRMS of 950 V with PD 2
  • Lower BOM cost
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ