Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMLT65R033M2H

The CoolSiC™ MOSFET 650 V in TOLT combines the best performance of CoolSiC™ G2 with top-side cooling to achieve the highest system power density.
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMLT65R033M2H
IMLT65R033M2H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    68 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    33 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    TOLT
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMLT65R033M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V Generation 2 (G2) in TOLT leverages the G2 best-in-class switching performance while enabling all the benefits of top-side cooling. Complementing the Q-DPAK package, already available with CoolSiC™ and CoolMOS™, it is now possible to implement a total discrete top-side cooling solution, obtaining better thermal performance, system cost reduction and simplification, and a cheaper assembly.

機能

  • Excellent figures of merit (FOMs)
  • High robustness and overall quality
  • Flexible driving voltage range
  • Support for unipolar driving (VGS_off=0)
  • Lower thermal resistance
  • Improved package interconnect with .XT
  • Top-side cooling package

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability
  • Enables top efficiency and power density
  • Simplifies assembly and cooling
  • Liquid cooling "ready"
  • Allows designs without fan or heatsink
  • Lower stray inductances
  • Better gate control

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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