新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IMDQ75R027M1H

The CoolSiC™ MOSFET 750 V G1 is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability.
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMDQ75R027M1H
IMDQ75R027M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    64 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    27 mΩ
  • VDS max
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMDQ75R027M1HXUMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 750 V G1 leverages more than 20 years of SiC experience in Infineon. It offers an edge in performance, reliability and robustness, with gate driving flexibility, enabling a simplified and cost effective system design for top efficiency and power density. The innovative top-side-cooling package further enhance the CoolSiC™ 750 V strengths offering more density, optimized power loop design and less system and assembly cost.

機能

  • Highly robust 750 V technology
  • Best-in-class RDS(on) x Qfr
  • Excellent Ron x Qoss and Ron x QG
  • Low Crss/Ciss together and high Vgsth
  • 100% avalanche tested 
  • .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
  • Cutting-edge top-side-cooled package 

利点

  • Superior efficiency in hard switching
  • Enables higher switching frequency
  • Higher reliability
  • Withstand bus voltages beyond 500 V
  • Robustness against parasitic turn
  • Unipolar driving
  • Best-in-class thermal dissipation

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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