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RoHS準拠
鉛フリー

IKWH30N67PR7

670 V, 30 A TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7 with anti-parallel diode in TO-247-3pin high creepage and clearance package
EA.
在庫あり

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IKWH30N67PR7
IKWH30N67PR7
EA.

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.26 mJ
  • Eon
    0.45 mJ
  • IC (@ 100°) max
    43 A
  • IC (@ 25°) max
    71 A
  • ICpuls max
    90 A
  • IFpuls max
    5 A
  • Ptot max
    179 W
  • QGate
    85 nC
  • RG
    9.8 Ω
  • td(off)
    124 ns
  • td(on)
    12 ns
  • tf
    24 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.4 V
  • VCE max
    670 V
  • VGE(th)
    3.95 V
  • Switching Frequency
    20 kHz to 65 kHz
  • Package
    TO-247-3-HCC
  • Technology
    TRENCHSTOP™ IGBT7
OPN
IKWH30N67PR7XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
670 V, 30 A PR7 in TO-247-3pin high creepage and clearance package is specifically optimized for boost PFC stage like RAC / CAC and HVAC application. It's the successor of with improved EMI characteristics, best-in-class reliability and robustness, offering the advanced performance and even better price-performance for high power and high switching frequency applications.

機能

  • Improved EMI behavior with lower dv/dt
  • Very low VCEsat = 1.4 V (typ.) at 25°C
  • Higher VCE = 670 V
  • High creepage and clearance distance
  • Positive temperature coeffi. of VCEsat

利点

  • Better EMI performance
  • Advanced performance in high switching
  • More design flexibility
  • Improved isolation for high reliability
  • Easy paralleling

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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