IKW50N65SS5
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKW50N65SS5

650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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IKW50N65SS5
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製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.55 mJ
  • Eon
    0.32 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    60.5 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • ICpuls (最大)
    200 A
  • IF (最大)
    38.5 A
  • IFpuls (最大)
    150 A
  • Ptot (最大)
    274 W
  • QGate
    110 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    9 Ω
  • td(off)
    140 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    20 ns
  • tr
    10 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 10-30 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    10 kHz～30 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    Silicon Carbide Schottky Diode, IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKW50N65SS5XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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TRENCHSTOP™ 5 S5 650 V, 50 A IGBT discrete co-packed with full-rated CoolSiC™ Schottky diode G6 in TO247-3 package. This IGBT technology addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz and due to high controllability and smooth switching behavior delivers not only high efficiency, but is easy to design-in. The CoolSiC™ hybrid discretes further reduce switching losses at almost unchanged dv/dt and di/dt values.

特長

  • Ultra-Low switching losses
  • TRENCHSTOP™ 5 IGBT
  • CoolSiC™ diode
  • Very low on-state losses
  • Benchmark switching efficiency*
  • *in hard switching topologies
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ