Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW50N65SS5

650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKW50N65SS5
IKW50N65SS5
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.55 mJ
  • Eon
    0.32 mJ
  • IC (@ 100°) max
    60.5 A
  • IC (@ 25°) max
    80 A
  • ICpuls max
    200 A
  • IF max
    38.5 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Ptot max
    274 W
  • QGate
    110 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    9 Ω
  • td(off)
    140 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    20 ns
  • tr
    10 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    10 kHz to 30 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    Silicon Carbide Schottky Diode, IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKW50N65SS5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
TRENCHSTOP™ 5 S5 650 V, 50 A IGBT discrete co-packed with full-rated CoolSiC™ Schottky diode G6 in TO247-3 package. This IGBT technology addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz and due to high controllability and smooth switching behavior delivers not only high efficiency, but is easy to design-in. The CoolSiC™ hybrid discretes further reduce switching losses at almost unchanged dv/dt and di/dt values.

機能

  • Ultra-Low switching losses
  • TRENCHSTOP™ 5 IGBT
  • CoolSiC™ diode
  • Very low on-state losses
  • Benchmark switching efficiency*
  • *in hard switching topologies
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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