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IKFW90N60EH3

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IKFW90N60EH3
IKFW90N60EH3
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.3 mJ
  • Eon
    2.65 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    95 A
  • ICpuls (最大)
    300 A
  • IF (最大)
    80 A
  • IFpuls (最大)
    300 A
  • Irrm
    39 A
  • Ptot (最大)
    178 W
  • QGate
    440 nC
  • Qrr
    4.93 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5 Ω
  • td(off)
    210 ns
  • td(on)
    32 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    45 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 18 - 60 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    18 kHz ～ 60 kHz
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
推奨
OPN
IKFW90N60EH3XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
High speed hard switching 600 V, 75 A third generation TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.The new isolated package TO247 advanced isolation enables the highest power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

特長

  • Short circuit withstand time 5μs
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Low EMI
  • Very soft, fast recovery diode
  • Maximum junction temperature 175°C
  • 2500 VRMSelectrical isolation
  • 100% tested isolated mount. surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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