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RoHS準拠
鉛フリー

IKFW90N60EH3

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IKFW90N60EH3
IKFW90N60EH3

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    1.3 mJ
  • Eon
    2.65 mJ
  • IC (@ 25°) max
    95 A
  • ICpuls max
    300 A
  • IF max
    80 A
  • IFpuls max
    300 A
  • Irrm
    39 A
  • Ptot max
    178 W
  • QGate
    440 nC
  • Qrr
    4.93 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5 Ω
  • td(off)
    210 ns
  • td(on)
    32 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    45 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    18 kHz to 60 kHz
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
OPN
IKFW90N60EH3XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
High speed hard switching 600 V, 75 A third generation TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.The new isolated package TO247 advanced isolation enables the highest power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

機能

  • Short circuit withstand time 5μs
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Low EMI
  • Very soft, fast recovery diode
  • Maximum junction temperature 175°C
  • 2500 VRMSelectrical isolation
  • 100% tested isolated mount. surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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