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IKFW75N65EH5
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IKFW75N65EH5

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650 V, 75 A IGBT in TO-247 advanced isolation package
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IKFW75N65EH5
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製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.6 mJ
  • Eon
    1.8 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    104 A
  • ICpuls (最大)
    240 A
  • IF (最大)
    74 A
  • IFpuls (最大)
    240 A
  • Irrm
    23.5 A
  • Ptot (最大)
    148 W
  • QGate
    144 nC
  • Qrr
    1.4 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    206 ns
  • td(on)
    30 ns
  • tf
    42 ns
  • tr
    35 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 30 - 100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    30 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    PG-HSIP247-3-1
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKFW75N65EH5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
DE
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Hard-switching 650 V, 75 A TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT discrete in TO-247 advanced isolation package is the highest efficiency discrete IGBT technology on the market ideally suited for customers who are looking for outstanding efficiency and power density.This package eliminates the need of isolation material and enables high power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • 4 times Ic pulse current (100°C Tc)
  • Lowest switching losses
  • Temperature stability of Vf
  • 2500 VRMS electrical isolation
  • 100 % tested iso. mounting surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ