新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IKFW75N60ET

600 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKFW75N60ET
IKFW75N60ET
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    2.35 mJ
  • Eon
    2.7 mJ
  • IC (@ 25°) max
    95 A
  • ICpuls max
    225 A
  • IF max
    72 A
  • IFpuls max
    225 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot max
    178 W
  • QGate
    440 nC
  • Qrr
    1.94 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5 Ω
  • td(off)
    340 ns
  • td(on)
    33 ns
  • tf
    35 ns
  • tr
    45 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    18 kHz to 60 kHz
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™
OPN
IKFW75N60ETXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High speed 600 V, 75 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete copacked with anti-parallel diode in a TO-247 advanced isolation package. This package enables the highest power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

機能

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft, fast recovery diode
  • 2500 VRMSelectrical isolation
  • 100% tested isolated mount. surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
  • Low EMI

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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