IKFW75N60ET
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKFW75N60ET

600 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IKFW75N60ET
IKFW75N60ET
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    2.35 mJ
  • Eon
    2.7 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    95 A
  • ICpuls (最大)
    225 A
  • IF (最大)
    72 A
  • IFpuls (最大)
    225 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot (最大)
    178 W
  • QGate
    440 nC
  • Qrr
    1.94 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5 Ω
  • td(off)
    340 ns
  • td(on)
    33 ns
  • tf
    35 ns
  • tr
    45 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 18 - 60 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    18 kHz～60 kHz
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™
OPN
IKFW75N60ETXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
High speed 600 V, 75 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete copacked with anti-parallel diode in a TO-247 advanced isolation package. This package enables the highest power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

特長

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft, fast recovery diode
  • 2500 VRMSelectrical isolation
  • 100% tested isolated mount. surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
  • Low EMI
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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