IKFW60N65ES5
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKFW60N65ES5

650 V, 60 A IGBT in TO-247 advanced isolation package
データシート
パッケージ

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IKFW60N65ES5
IKFW60N65ES5
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.23 mJ
  • Eon
    0.55 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    85 A
  • ICpuls (最大)
    200 A
  • IF (最大)
    58 A
  • IFpuls (最大)
    200 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot (最大)
    138 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    1.21 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8.2 Ω
  • td(off)
    127 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    34 ns
  • tr
    27 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 10 - 30 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    10 kHz～30 kHz
  • パッケージ
    PG-HSIP247-3-1
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ Advanced Isolation

OPN
IKFW60N65ES5XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
DE

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
DE
Hard-switching 650 V, 60 A TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT discrete in TO247 advanced isolation package. This IGBT technology addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz. This package eliminates the need of isolation material and enables high power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

特長

  • Very Low VCEsatof 1.35 V at 25°C
  • 4 times Ic pulse current (100°C Tc)
  • Soft current fall characteristics
  • Symmetrical, low voltage overshoot
  • Gate voltage under control
  • No risk of unwanted turn-on
  • No need for gate clamping
  • 2500 VRMS electrical isolation
  • 100 % tested isol. mounting surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ