IKFW50N65EH5
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IKFW50N65EH5

650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IKFW50N65EH5
IKFW50N65EH5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.4 mJ
  • Eon
    1.2 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    59 A, 69 A
  • ICpuls (最大)
    160 A
  • IF (最大)
    74 A
  • IFpuls (最大)
    160 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot (最大)
    124 W
  • QGate
    95 nC
  • Qrr
    1.11 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15.1 Ω
  • td(off)
    130 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    23 ns
  • tr
    28 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 30 - 100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    30 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    PG-HSIP247-3-1
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKFW50N65EH5XKSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 50 A TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT discrete in TO-247 advanced isolation package is the highest efficiency discrete IGBT technology on the market ideally suited for customers who are looking for outstanding efficiency and power density.This package eliminates the need of isolation material and enables high power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

特長

  • Best in class 650V IGBT technology
  • Medium speed switching (S5)
  • Ultra fast speed switching (H5)
  • 2500 VRMS electrical isolation
  • Fully isolated package
  • Lowest Rth(j-h)
  • No need to use isolation foil
  • TIM for reliable fast assembly
  • Low coupling capacitance (38 pF)
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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