Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKFW50N65DH5

650 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

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IKFW50N65DH5
IKFW50N65DH5

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.63 mJ
  • Eon
    1.46 mJ
  • IC (@ 25°) max
    59 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    160 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    124 W
  • QGate
    95 nC
  • Qrr
    0.55 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12.2 Ω
  • td(off)
    131 ns
  • td(on)
    23 ns
  • tf
    20 ns
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • VCE max
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • パッケージ
    PG-HSIP247-3-1
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKFW50N65DH5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
High speed 650 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP™5 IGBT with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 advanced isolation package.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • 4 times Ic pulse current (100°C Tc)
  • Lowest switching losses
  • Temperature stability of Vf
  • 2500 VRMS electrical isolation, 50/60 Hz, t = 1 min
  • 100 % tested iso. mounting surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22

利点

  • 2500 Vrms electrical isolation
  • 100% testing isolation
  • simplified assembly

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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