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RoHS準拠
鉛フリー

IKFW50N60ET

600 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
EA.
在庫あり

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IKFW50N60ET
IKFW50N60ET
EA.

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.42 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • IC (@ 25°) max
    64 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    80 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    27 A
  • Ptot max
    164 W
  • QGate
    290 nC
  • Qrr
    1.24 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    305 ns
  • td(on)
    28 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    33 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    18 kHz to 60 kHz
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™
OPN
IKFW50N60ETXKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High speed 600 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete copacked with anti-parallel diode in a TO-247 advanced isolation package. This package enables the highest power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

機能

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft, fast recovery diode
  • 2500 VRMSelectrical isolation
  • 100% tested isolated mount. surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
  • Low EMI

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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