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IKFW50N60DH3
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IKFW50N60DH3

生産終了
600 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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IKFW50N60DH3
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製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.62 mJ
  • Eon
    1.22 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    53 A
  • ICpuls (最大)
    160 A
  • IF (最大)
    40 A
  • IFpuls (最大)
    160 A
  • Irrm
    11.7 A
  • Ptot (最大)
    145 W
  • QGate
    210 nC
  • Qrr
    0.51 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8 Ω
  • td(off)
    212 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    35 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.85 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF (Tvj=25°C typ) (最大)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.45 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 18 - 60 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    18 kHz～60 kHz
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3

OPN
IKFW50N60DH3XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
DE,MY
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX,MY
ウェハ製造国
DE,MY
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Speed-switching 600 V, 40 A high speed third generation TRENCHSTOP™ IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a advanced isolation package.

特長

  • Short circuit withstand time 5μs
  • at Tvj = 175°C
  • Pos. temp. coefficient in VCE(sat)
  • Low EMI
  • Very soft, fast recovery diode
  • Maximum junction temperature 175°C
  • 2500 VRMSelectrical isol.
  • 100 % tested isolated moun. surface
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant
  • Qualified accor. JEDEC 47/20/22
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ