アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IKFW50N60DH3

600 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
EA.
在庫あり

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IKFW50N60DH3
IKFW50N60DH3
EA.

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.62 mJ
  • Eon
    1.22 mJ
  • IC (@ 25°) max
    53 A
  • ICpuls max
    160 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    160 A
  • Irrm
    11.7 A
  • Ptot max
    145 W
  • QGate
    210 nC
  • Qrr
    0.51 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8 Ω
  • td(off)
    212 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    35 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.85 V
  • VCE max
    600 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.45 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    18 kHz to 60 kHz
  • パッケージ
    PG-TO247-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
OPN
IKFW50N60DH3XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Speed-switching 600 V, 40 A high speed third generation TRENCHSTOP™ IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a advanced isolation package.

機能

  • Short circuit withstand time 5μs
  • at Tvj = 175°C
  • Pos. temp. coefficient in VCE(sat)
  • Low EMI
  • Very soft, fast recovery diode
  • Maximum junction temperature 175°C
  • 2500 VRMSelectrical isol.
  • 100 % tested isolated moun. surface
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant
  • Qualified accor. JEDEC 47/20/22

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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