Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKFW40N65ES5

650 V, 40 A IGBT in TO-247 advanced isolation package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKFW40N65ES5
IKFW40N65ES5
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.32 mJ
  • Eon
    0.56 mJ
  • IC (@25°) max
    52 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    43 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    18 A
  • Ptot max
    106 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    0.51 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    13 Ω
  • td(off)
    105 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    16 ns
  • tr
    29 ns
  • VCE(sat)
    1.8 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.5 V
  • スイッチング周波数
    10 kHz to 30 kHz
  • パッケージ
    PG-HSIP247-3-1
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKFW40N65ES5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 TO-247-3 advanced isolation
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT discrete in TO247 advanced isolation package. This IGBT technology addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz. This package eliminates the need of isolation material and enables high power density, the best thermal performance and the lowest cooling effort thanks to an effective and reliable thermal path from the IGBT die to the heatsink.

機能

  • Very Low VCEsatof 1.35 V at 25°C
  • 4 times Ic pulse current (100°C Tc)
  • Soft current fall characteristics
  • Symmetrical, low voltage overshoot
  • Gate voltage under control
  • No risk of unwanted turn-on
  • No need for gate clamping
  • 2500 VRMS electrical isolation
  • 100 % tested isol. mounting surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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