Active and preferred
RoHS準拠

IKB40N65EH5

650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKB40N65EH5
IKB40N65EH5
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.4 mJ
  • Eon
    1.1 mJ
  • IC (@ 25°) max
    74 A
  • IC (@ 100°) max
    46 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    160 A
  • Irrm
    12.5 A
  • Ptot max
    250 W
  • QGate
    95 nC
  • Qrr
    1000 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    165 ns
  • td(on)
    22 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    30 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKB40N65EH5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP™ 5 high speed IGBT discrete in D2Pak (TO263) package copacked with full rated current Rapid 1 anti parallel diode, redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. This family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • Low Qg
  • Reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCEsat
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coeffi. VCEsat
  • Temperature stability of Vf

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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