Active and preferred
RoHS準拠

IKB30N65ES5

650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKB30N65ES5
IKB30N65ES5
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.32 mJ
  • Eon
    0.56 mJ
  • IC (@ 25°) max
    62 A
  • IC (@ 100°) max
    39.5 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    39.5 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    18 A
  • Ptot max
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    600 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    13 Ω
  • td(off)
    124 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    30 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    10 kHz to 40 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKB30N65ES5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 30 A TRENCHSTOP™ 5 high speed IGBT in D2Pak (TO263) package copacked with full rated current Rapid 1 fast and soft anti parallel diode, addressing applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

機能

  • Very Low VCEsatof 1.35 V at 25 °C
  • ICn=4x nominal current (100 °C Tc)
  • Soft current fall characteristics
  • No tail current
  • Symmetrical, low voltage overshoot
  • Maximum Tvj=175 °C
  • Qualif. accor. to JEDEC standards
  • Gate voltage under control:
  • No risk of unwanted turn-on
  • No need for gate clamping

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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