Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IHW50N65R6

650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IHW50N65R6
IHW50N65R6
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Soft Switching)
    0.2 mJ
  • Eoff (Hard Switching)
    0.66 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • IC (@ 25°) max
    100 A
  • IC (@ 100°) max
    65 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    39 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    37 A
  • Ptot max
    251 W
  • QGate
    199 nC
  • Qrr
    2500 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    261 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    14 ns
  • tr
    25 ns
  • VCE(sat)
    1.3 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.51 V
  • スイッチング周波数
    20 kHz to 75 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT RC Soft Switching
推奨
OPN
IHW50N65R6XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Reverse Conducting R6 650 V, 50 A IGBT in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfill demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.Thanks to best system performances and high compatibility with existing gate driver solution, 650 V R6 IGBT represents the optimal choice for soft switching topologies.

機能

  • Very Low VCEsat & low Eoff
  • High ruggedness
  • Stable temperature behavior
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Frequency range 20-75 kHz
  • Low EMI
  • Very tight parameter distribution
  • Maximum operating TJ of 175 °C

利点

  • Lowest losses on IGBT
  • replacement of predecessor R5
  • High device reliability
  • Good EMI behaviour
  • high system efficiency
  • higher power output

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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