IGW30N65L5
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IGW30N65L5

データシート
パッケージ

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IGW30N65L5
IGW30N65L5
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.35 mJ
  • Eon
    0.47 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    62 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    85 A
  • ICpuls (最大)
    120 A
  • Ptot (最大)
    227 W
  • QGate
    168 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    308 ns
  • td(on)
    33 ns
  • tf
    51 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.05 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 50 Hz -20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    0.05 kHz～20 kHz
  • パッケージ
    TO-247
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IGW30N65L5XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.10V for 75A IGBT.

特長

  • Lowest VCE(sat) of only 1.05 V
  • Low switching losses:
  • 1.6 mJ @ 25°C for 30 A IGBT
  • High thermal stability
  • Tjincrease from 25°C to 175°C
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ