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IGP20N65H5
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IGP20N65H5

生産終了
データシート
パッケージ

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IGP20N65H5
IGP20N65H5
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.06 mJ
  • Eon
    0.17 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    21 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    42 A
  • ICpuls (最大)
    60 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QGate
    48 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    32 Ω
  • td(off)
    168 ns
  • td(on)
    16 ns
  • tf
    36 ns
  • tr
    3 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    30 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-220
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IGP20N65H5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to our HighSpeed 3 family
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduced VCE(sat)
  • Low COES/EOSS
  • Mild pos. temp. coeffi. VCE(sat)
  • Temperature stability of Vf
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ