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IGOT60R070D1
生産終了
生産終了
RoHS対応

IGOT60R070D1

生産終了
Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor IGOT60R070D1 for ultimate efficiency and reliability
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能

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IGOT60R070D1
IGOT60R070D1
データシート


製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    31 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    60 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG
    5.8 nC
  • RDS (on) (typ)
    55 mΩ
  • VBRDSS (最大)
    600 V
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    0.9 V～1.6 V
  • VGS(th)
    1.2 V
  • パッケージ
    DSO-20-87
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 製品名
    IGOT60R070D1
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    Industrial

OPN
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA3
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-20
PG-DSO-20
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 800 800
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3 3
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
ID
ID
ウェハ製造国
JP
AT
代替品を表示

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-20
パッケージ名 -
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
ID
ウェハ製造国
JP

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-20
パッケージ名 -
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
ID
ウェハ製造国
AT
代替品を表示
The IGOT60R070D1 enables more compact topologies and increased efficiency at higher frequency operation. It is certified through an extensive GaN-specific qualification process, exceeding industry standards. Housed in the leaded SMD DSO-20-87 package, it is designed for optimal power dissipation required in modern data centers, server , telecom , renewables, and numerous other applications.

特長

  • E-mode HEMT – normally OFF
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
  • Low dynamic RDS(on)
  • Top-side cooled

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings
  • Reduces EMI
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ