IGC99T120T8RM
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IGC99T120T8RM

データシート

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IGC99T120T8RM
IGC99T120T8RM
データシート

製品仕様情報

  • IC (最大)
    100 A
  • VCE(sat) (最大)
    1.97 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VDS (最大)
    1200 V
  • VGE(th) 範囲
    5.1 V～6.4 V
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 技術
    IGBT4 Medium Power
推奨
OPN
IGC99T120T8RMX1SA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

特長

  • 1200 V TRENCHSTOP™ technology
  • 1200 V fieldstop technology
  • Low switching losses
  • Soft turn-off
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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