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IGC54T65T8RM

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IGC54T65T8RM
IGC54T65T8RM
データシート

Product details

  • IC max
    100 A
  • VCE(sat) max
    1.82 V
  • VCE max
    650 V
  • VDS max
    650 V
  • VGE(th)
    5.1 V to 6.4 V
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 技術
    IGBT3 Medium Power
推奨
OPN
IGC54T65T8RMX1SA2
製哝ステータス active
インフィニオンパッケージ N/A
パッケージ坝 N/A
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ N/A
パッケージ坝 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

機能

  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling
  • Qualified according to JEDEC

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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